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半導體工藝代加工

發表于:2019-11-05 作者:gdisit

       廣東省半導體產業技術研究院是直屬于廣東省科學院的23個骨干科研院所之一,本院主要面向半導體照明創新應用、功率電子器件、新型顯示、先進封裝等領域。本院擁有5000平方米的研發基地(其中超凈實驗室800平方米),擁有MOCVD、真空鍍膜機等120多臺/套關鍵設備,設備總價值逾1億元。目前已建立材料外延、微納加工、封裝應用、分析測試四大科研平臺,是國內少數擁有完整半導體工藝鏈的研究平臺之一,研發實力雄厚。
      廣東省半導體產業技術研究院微納加工平臺,擁有半導體器件制備工藝研發所需的整套儀器設備,建立了一條實驗室研發線和一條中試線,加工尺寸覆蓋2-6英寸。微納加工平臺面向國內外科研機構和企業提供全方位的開放服務,我們將對半導體材料與器件的深入研發給予全方位支持,為廣大科研單位和企業提供高品質服務。

                                              內景
                                                                                實驗室內景

                    技術服務
   
                                                                部分代工工藝介紹

    1.設備:光刻機     

      功能:光刻膠圖形化

                    1μm線條光刻
 
                                                          1um線寬光刻

      2.設備名稱:感應耦合等離子刻蝕機(ICP)

         用途:
刻蝕GaN、Si、AlGaInP、AlGaN、SiO2、Si3N4等材料
                           GaN深刻蝕
                                                 GaN深刻蝕:各向異性刻蝕

      3.等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)  

        用途:沉積SiO2、SiNX薄膜、不含H的SiNX薄膜、SiNOx薄膜



      4.設備名稱:低壓化學氣相沉積法(LPCVD)

        用途:干氧SiO2,濕法SiO2,SiNx生長,更好的成膜致密性



     5.設備名稱:ITO電子束蒸發臺

        用途:蒸發透明導電薄膜ITO



    6.設備名稱:金屬電子束蒸發臺

       用途:蒸發Ti,Al,Ni,Cr,Pt,Au,Ag、Mo等金屬



    7.設備名稱:磁控濺射臺

       用途:濺射Ti、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Ti、W、Pd、Pt、Zn等金屬薄膜
               濺射AlN、ITO、SiN、SiO2、TiO2、ZnO、IGZO等化合物材料。




    8.設備名稱:電阻蒸發臺

用途:In/AuSn/SAC等低熔點金屬薄膜蒸發


    9.設備名稱:快速退火爐 

 用途:應用于半導體材料、器件、新材料等快速熱處理

 
 

 

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