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    PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備 Oxford

    應用于半導體行業:

    半導體加工設備-鍍膜設備-PECVD

    產品品牌

    Oxford

    庫       存:

    100

    產       地:

    英國

    數       量:

    減少 增加

    價       格:

    6000000.00
    交易保障 擔保交易 網銀支付

    客服電話:4001027270

    半導體商城認證商家 展開

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    品牌:Oxford

    型號:

    所屬系列:半導體加工設備-鍍膜設備-PECVD


    System 100 -等離子刻蝕與沉積設備 

    該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設備。 采用真空進樣室進樣可進行快速的晶片更換、采用多種工藝氣體并擴大了允許的溫度范圍。
    具有最大的工藝靈活性,適用于化合物半導體,光電子學,光子學,微機電系統和微流體技術, PlasmalabSystem100可以有很多的配置,詳情如下。 


    主要特點
    可處理8 "晶片,也具有小批量(6 × 2")預制和試生產的能力 選擇單晶片/批處理或盒式進樣,采用真空進樣室。 該PlasmalabSystem100可以集成到一個集群系統中,采用中央機械手傳送晶片,生產工藝中采用全片盒到片盒晶片傳送. 采用一系列的電極進行襯底溫度控制,其溫度范圍為-150 ° C至700° C
    用于終端檢測的激光干涉和/或光發射譜可安裝在Plasmalab System100以加強刻蝕控制
    選的6 或12路氣箱為工藝流程和工藝氣體提供了選擇上的靈活性,并可以放置在遠端,遠離主要工藝設備 

    工藝
    一些使用Plasmalab System100等離子刻蝕與沉積設備的例子: 
    低溫硅刻蝕,深硅刻蝕和SOI工藝,應用于MEMS ,微流體技術和光子技術
    用于激光器端面的III - V族刻蝕工藝,通過刻蝕孔、光子晶體和許多其他應用,材料范圍廣泛(InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等)
    GaN、AlGaN等的預生產和研發工藝,比如HBLED和其它功率器件的刻蝕 高品質,高速率SiO2沉積,應用于光子器件 金屬(Nb, W)刻蝕 

                       
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    2018等離子技術應用研討會—西安站

    地點:
    中國
    日期:
    2018年11月7日
    主要業務:
    等離子技術

    xian-seminar-封面1-(1).png

    歡迎各位參加本次由牛津儀器主辦的“2018等離子技術應用研討會—西安站”。本次活動我們將邀請國內外的技術專家為大家呈現行業最前沿的信息與應用實例,同時針對一些應用中存在的問題進行闡述并給出一些合理化的建議。歡迎各位蒞臨交流互動!

    時間: 2018年11月7日
    地點:西安天驪君廷大酒店·少華廳(西安市雁塔區太白南路198號)

    如想報名參加,請留下您的聯系方式,我們將會為您郵件發送最新日程

    或者撥打熱線電話咨詢:010-57168280

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