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    美國Trion 反應式等離子刻蝕及沉積系統

    產品品牌

    TRION

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    1

    產       地:

    全國

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    品牌:TRION

    型號:

    所屬系列:半導體加工設備-刻蝕設備-反應離子刻蝕機

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    美國Trion Technology
    反應式離子刻蝕(RIE/ICP)系統及沉積(PECVD)系統
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    批量生產用設備:
     
    去膠系統
    - 低損傷去膠系統

    新式去膠系統的成本已攀升到不合理水平,但Trion已通過兩套價格低廉、緊湊的多功能系統使這一關鍵問題得到解決:GeminiApollo。利用ICP(電感耦合等離子)、微波和射頻偏置功率,可以在低溫條件下將難于消除的光刻膠去除。根據應用要求,每套系統可以結合SST-Lightning 微波源(既可靠又沒有任何常見的微波調諧問題) ICP 技術。

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    刻蝕速率高達6微米/?
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    高產量
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    等離子損傷低?
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    自動匹配單元
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    適用于100mm 300mm 基片?
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    設備占地面積小
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    價格具競爭性
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    刻蝕/沉積
     
    Titan是一套用于半導體生產的十分緊湊、全自動化、帶預真空室的等離子系統。

    Titan
    具有反應離子刻蝕(RIE)配置、高密度電感耦合等離子沉積(HDICP)或等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)配置。可對單個基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。

    刻蝕應用范圍:?
    砷化鎵、砷化鋁鎵、氮化鎵、磷化鎵、磷化銦、鋁、硅化物、鉻以及其他要求腐蝕性和非腐蝕性化學刻蝕的材料。

    沉積應用范圍:
    二氧化硅、氮化硅、氮氧化物和其他各種材料。
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    Oracle III由中央真空傳輸系統(CVT)、真空盒升降機和最多四個工藝反應室構成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接,既能夠以生產模式運行,也能夠作為單個系統獨立作業。 Oracle III是市場上最靈活的系統,既可以為實驗室環境進行配置(使用單基片裝卸),也可以為批量生產進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)

    由于Oracle III 最多可容納四個獨立的工藝室,其可以有多種不同的工藝組合,其中包括RIE/ICP (反應離子刻蝕機/電感耦合等離子)刻蝕和PECVD 沉積。多個室可以同時工作。鑒于所有工藝室均有真空負載鎖,工藝運行安全且沒有大氣污染。
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    小批量生產用設備:
     
    沉積 (PECVD)
     
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    Minilock-Orion III是一套最先進的等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統。系統的下電極尺寸可為200mm300mm,且根據電極配置,可以處理單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸),或者多尺寸批量處理基片(4x3”; 3x4”; 7x2”)。可沉積的薄膜包括:氧化物、氮氧化物、無定形硅和碳化硅。可以使用的反應氣體包括:100%硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧、氮、三甲基硅烷和甲烷。

    該系統可選配一個三極管(Triode)或電感耦合等離子(ICP)源。其中三極管使得用戶可以創建高密度等離子,從而控制薄膜應力。基片通過預真空室裝入工藝室,其避免了與工藝室以及任意殘余沉積副產品接觸,從而提高了用戶的安全性。預真空室還使得工藝室始終保持在真空下,從而保持反應室與大氣隔絕。
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    刻蝕 (RIE)
     
    Minilock-Phantom III?具有預真空室的反應離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸),為實驗室和試制線生產環境提供最先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。該反應室還可以用于去除光刻膠和有機材料。可選配靜電吸盤(E-chuck),以便更有效地在刻蝕工藝中讓基片保持冷卻。該E-chuck使用氦壓力控制器,及在基片背面保持一個氦冷卻層,從而達到控制基片溫度的作用。

    該設備可選配一個電感耦合等離子(ICP)源,其使得用戶可以創建高密度等離子,從而提高刻蝕速率和各向異性等刻蝕性能。
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    實驗室/研發/芯片失效分析用設備:
     
     
    沉積
     
    Orion III 等離子增強型化學汽相沉積(PECVD)系統適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片(2” - 300mm尺寸),為實驗室和試制線生產提供最先進的沉積能力。Orion III系統用于非發火PECVD工藝。沉積薄膜:氧化物、氮氧化物、氮化物和無定形硅。工藝氣體<20% 硅烷、氨、TEOS、二乙基硅烷、氧化亞氮、氧和氮。該設備可選配一個ICP或三極管(Triode)源。
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    刻蝕
     
    Phantom III反應離子蝕刻(RIE)系統適用于單個基片、碎片或帶承片盤的基片300mm尺寸,為實驗室和試制線生產提供最先進的等離子蝕刻能力。系統有多達七種工藝氣體可以用于蝕刻氮化物、氧化物以及任何需要氟基化學刻蝕的薄膜或基片(如碳、環氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢以及鎢鈦)
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    Sirus T2 臺面式反應離子刻蝕機(RIE)可用于介質以及其它要求氟化基化學的薄膜刻蝕。用於對矽、二氧化矽、氮化矽、石英、聚亞醯胺、鉭、鎢、鎢鈦以及其他要求特徵控制,高度選擇性和良好一致性的材料進行蝕刻。?

    本機包含200mm下電極, 系統控制器(含電腦主機及觸控介面)13.56MHz, 300/600W 射頻發生器及自動調諧,最大四路/六路工藝氣體及自動壓力控制模塊等。占地面積小且堅固耐用,非常適合用於研發,實驗室環境及失效分析。
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